資料顯示臺積電美國工廠將引入2nm工藝 最早于2028年投產(chǎn)

本月15日，美國商務(wù)部最終敲定了臺積電（TSMC）在亞利桑那州新建Fab 21項目的款項，授予高達(dá)66億美元的直接撥款，以支持整個園區(qū)大概650億美元的建設(shè)支出，其中將興建三間晶圓廠。整個項目將創(chuàng)造6000多個直接制造工作崗位，以及超過20000個累計的建筑工作崗位。

據(jù)報道，臺積電向美國商務(wù)部提交的信息顯示，最早于2028年在美國開始生產(chǎn)2nm芯片。根據(jù)Fab 21項目制程工藝路線安排，將引入A16和N2系列（N2、N2P和N2X）工藝，均屬于2nm制程節(jié)點，量產(chǎn)啟動時間比起中國臺灣的晶圓廠要晚大概三年。

Fab 21一期工程初期投入120億美元，選擇了4/5nm工藝的生產(chǎn)線，已進(jìn)行了試產(chǎn)，計劃在2025年上半年投產(chǎn);二期工程原計劃選擇3nm工藝的生產(chǎn)線，現(xiàn)在將推進(jìn)至2nm工藝，預(yù)計在2028年投產(chǎn)，前兩期工程加起來的總產(chǎn)能為每月5萬片晶圓;新增三期工程將采用2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)，預(yù)計2030年之前投產(chǎn)。

臺積電在2nm制程節(jié)點將引入GAA晶體管架構(gòu)，有望顯著降低功耗，提高性能和晶體管密度，帶來質(zhì)的改變。按照臺積電之前的說法，臺積電只有在大規(guī)模量產(chǎn)后，才會考慮遷移到下一個制程節(jié)點，而且新一代半導(dǎo)體工藝的研究會在中國臺灣展開，以保持半導(dǎo)體技術(shù)上的領(lǐng)先地位。