受AI芯片需求刺激 臺(tái)積電加速High-NA EUV部署

今年9月，臺(tái)積電（TSMC）從ASML手上接收了其首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，移送至自己的全球研發(fā)中心進(jìn)行研究，以滿足A14等未來先進(jìn)工藝的開發(fā)需求。傳聞臺(tái)積電董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官魏哲家親自與ASML談判并達(dá)成了一項(xiàng)協(xié)議，通過購(gòu)買新設(shè)備和出售舊型號(hào)相結(jié)合的方式，將整體價(jià)格降低了近20%。

據(jù)報(bào)道，近期臺(tái)積電3nm產(chǎn)能需求旺盛，大量客戶下單使得產(chǎn)能處于滿載狀態(tài)，同時(shí)即將到來的2nm工藝也受到了客戶的歡迎，臺(tái)積電正在考慮繼續(xù)擴(kuò)大2nm產(chǎn)能，滿足以AI芯片為首的增長(zhǎng)需求。隨著客戶進(jìn)一步推動(dòng)人工智能業(yè)務(wù)發(fā)展，在市場(chǎng)需求刺激下，臺(tái)積電也加快了High-NA EUV光刻機(jī)的部署，以便更早地熟悉新技術(shù)。

根據(jù)臺(tái)積電的路線圖，High-NA EUV光刻機(jī)將集成到A14 工藝，預(yù)計(jì)2027年進(jìn)入量產(chǎn)階段。在此之前，需要進(jìn)行廣泛的測(cè)試、微調(diào)和流程優(yōu)化，用于1nm階段的制程工藝中。隨著半導(dǎo)體制造工藝日益復(fù)雜，成本也隨著每個(gè)制程節(jié)點(diǎn)的開發(fā)推進(jìn)而上漲，每臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格高達(dá)3.84億美元。盡管如此，臺(tái)積電在技術(shù)上的領(lǐng)先有望吸引更多尋找先進(jìn)芯片制造能力的高端客戶。

有分析師表示，加快High-NA EUV技術(shù)的開發(fā)可能會(huì)擴(kuò)大臺(tái)積電與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之間的差距，尤其是三星。臺(tái)積電在2019年推出了N7+工藝，首次使用了EUV光刻機(jī)，當(dāng)時(shí)大概有10臺(tái)。臺(tái)積電接下來迅速擴(kuò)大了EUV光刻技術(shù)的應(yīng)用，也購(gòu)買了更多的設(shè)備，EUV光刻機(jī)的銷量從2019年至2023年增長(zhǎng)了10倍，而臺(tái)積電占據(jù)了其中56%的裝機(jī)量。

臺(tái)積電在將新技術(shù)集成到大批量生產(chǎn)之前，會(huì)根據(jù)新技術(shù)的成熟度、成本和潛在客戶利益進(jìn)行仔細(xì)評(píng)估。這是一種系統(tǒng)化，并以客戶為中心的方法，到了High-NA EUV時(shí)代也會(huì)如此。