傳英偉達(dá)RTX 50系顯卡要推遲 需重新流片提升良率
- 來源:互聯(lián)網(wǎng)
- 作者:快科技
- 編輯:陶笛
日前據(jù)媒體報(bào)道,供應(yīng)鏈最新消息顯示,由于需要重新流片(RTO)以提升良率,RTX 50系列顯卡的上市時(shí)間將比原計(jì)劃有所延后,不過并未提及會在何時(shí)發(fā)布。
NVIDIA的Blackwell采用了臺積電4nm制程技術(shù),擁有2080億個(gè)晶體管,但復(fù)雜的封裝方式導(dǎo)致了良率問題。
CoWoS-L封裝技術(shù)雖然能提供高達(dá)10TBs的傳輸速度,但封裝過程中的精度要求極高,任何微小的缺陷都可能導(dǎo)致價(jià)值不菲的芯片報(bào)廢。
據(jù)透露,GPU晶粒、LSI橋接、RDL中介層和主基板之間的熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配,可能導(dǎo)致芯片翹曲和系統(tǒng)故障。
為了解決這些問題,NVIDIA不得不重新設(shè)計(jì)GPU芯片的頂部金屬層和凸點(diǎn),這不僅影響了AI芯片,也波及到了即將發(fā)布的RTX 50系列顯卡。
供應(yīng)鏈消息還指出,芯片設(shè)計(jì)問題并非NVIDIA獨(dú)有,隨著芯片尺寸的不斷擴(kuò)大,制造復(fù)雜度不可避免地增加。
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