漲價前兆！PC和手機DRAM內(nèi)存將出現(xiàn)供應短缺

據(jù)媒體報道，存儲芯片產(chǎn)業(yè)界近日傳來消息，通用型DRAM內(nèi)存芯片可能面臨供應短缺的局面。

隨著業(yè)界對高帶寬存儲(HBM)這類DRAM的大力投資，通用型DRAM的產(chǎn)能利用率相對較低，三星和SK海力士的產(chǎn)能利用率僅在80%到90%之間，與NAND閃存的全速生產(chǎn)形成鮮明對比。

伴隨著企業(yè)級固態(tài)硬盤(eSSD)的需求因人工智能的普及而激增，導致三星、SK海力士等主要制造商在第二季度滿負荷運行其NAND生產(chǎn)線。

鎧俠也在市場條件改善后結(jié)束了減產(chǎn)，NAND產(chǎn)能利用率恢復至100%。

與HBM DRAM相比，通用型DRAM指的是用于手機、PC的內(nèi)存芯片，這一供應短缺的信號可能預示著DRAM內(nèi)存芯片的價格上漲。

自2024年初以來，通用型DRAM的產(chǎn)能僅提升了大約10%，而智能手機、PC和服務器市場的增長率預計僅為2%到3%。

全球云計算和科技公司在AI基礎(chǔ)設施上的投資削減，也未能顯著推動DRAM需求的復蘇。

盡管業(yè)界對通用型DRAM需求反彈持謹慎樂觀態(tài)度，但這一可能性很大程度上取決于終端設備AI能力的普及程度。

PC制造商和智能手機廠商，如三星和蘋果，正在積極探索AI技術(shù)在各自產(chǎn)品中的應用，以期帶動市場需求。