三星第二代3nm GAA工藝將于2024年量產(chǎn)

前一段時(shí)間，三星在京畿道華城工廠V1生產(chǎn)線，舉行了采用下一代GAA（Gate-All-Around）架構(gòu)晶體管技術(shù)的3nm代工產(chǎn)品發(fā)貨儀式。三星表示，與原來采用FinFET的5nm工藝相比，初代3nm GAA制程節(jié)點(diǎn)在功耗、性能和面積（PPA）方面有不同程度的改進(jìn)，其面積減少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。

雖然三星信心滿滿，但事實(shí)上目前3nm GAA工藝缺乏客戶，更重要的是，平時(shí)熱衷采用新工藝的移動(dòng)SoC暫時(shí)都沒有選用。有消息指出，三星可能會(huì)使用3nm工藝制造Exynos 2300，或用于明年的Galaxy S23系列，不過有報(bào)道稱由于表現(xiàn)不達(dá)預(yù)期，Galaxy S23系列可能全部采用高通的解決方案。此外，谷歌第三代Tensor芯片也可能采用三星3nm工藝，將用于Pixel 8系列，但目前還沒有消息。

近年來三星的其中一個(gè)大客戶高通，由于4nm/5nm的良品率和能效問題，在新一代旗艦SoC上已轉(zhuǎn)投臺積電（TSMC），對三星造成了相當(dāng)大的打擊。據(jù)Wccftech報(bào)道，高通對三星第一代3nm GAA工藝興趣不大，不過有留意其進(jìn)展情況，隨時(shí)進(jìn)行評估，到第二代3nm GAA工藝可能會(huì)參與進(jìn)來。

據(jù)了解，三星第二代3nm GAA工藝將會(huì)在2024年量產(chǎn)。三星表示，第二代3nm GAA工藝將加入MBCFET架構(gòu)，使得3nm芯片的面積減少35%、性能提高30%、功耗降低50%，如果良品率也能跟上，這樣的提升或許會(huì)讓高通滿意。