三星3nm良品率比4nm更低 將難以爭取高通等客戶的訂單

從7nm制程節(jié)點開始，三星在工藝研發(fā)和生產(chǎn)上就一直不順利，過去兩年里5nm和4nm工藝生產(chǎn)的芯片，無論效能還是良品率都存在較大問題。雖然三星在2021年高調(diào)地進行半導(dǎo)體擴張計劃，確認3nm制程節(jié)點將引入全新的GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管，并計劃2022年上半年量產(chǎn)第一代3nm工藝，不過似乎遇到了更大的困難。

據(jù)DigiTimes報道，有報告詳細介紹了三星在3nm制程節(jié)點和GAA技術(shù)上的進展，顯示3nm工藝也是困難重重，良品率徘徊在10%到20%之間，遠不及預(yù)期。目前三星在4nm工藝生產(chǎn)上已相當掙扎，雖然取得了Snapdragon 8 Gen 1的訂單，但是良品率也僅在35%左右，這也解釋了為什么即便要加價，高通也打算將Snapdragon 8 Gen 1 Plus的訂單轉(zhuǎn)移給臺積電。如果三星在3nm工藝上的生產(chǎn)情況屬實，將難以爭取訂單，很可能會失去高通和英偉達這些大客戶。

有消息人士透露，三星會首先將3nm工藝用在自家芯片的生產(chǎn)上，很可能是Exynos系列新產(chǎn)品。此前三星移動業(yè)務(wù)總裁TM Roh在內(nèi)部會議上表示，將開發(fā)針對Galaxy系列設(shè)備的定制SoC，不清楚是否與之有關(guān)。

臺積電計劃在N3制程節(jié)點仍使用FinFET晶體管，要到N2制程節(jié)點才會引入GAA技術(shù)，預(yù)計后者會在2025年末進入大批量生產(chǎn)。暫時沒有臺積電因轉(zhuǎn)向GAA技術(shù)而遇到困難的消息，一般來說，臺積電在芯片生產(chǎn)質(zhì)量上要比三星好一些。