英特爾將在美國(guó)成立半導(dǎo)體制造中心 投資上千億美元建造一座小城

自從英特爾CEO帕特-基爾辛格（Pat Gelsinger）在今年3月底公布了IDM 2.0戰(zhàn)略，確定組建英特爾代工服務(wù)事業(yè)部（IFS）以來，英特爾不但在原有的晶圓廠基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)建，而且還尋找新址建造全新的晶圓廠，以擴(kuò)大產(chǎn)能規(guī)模滿足未來的代工需求。

英特爾首先投資約200億美元，在美國(guó)亞利桑那州的Octillo園區(qū)新建兩座晶圓廠，隨后又投資35億美元，對(duì)位于新墨西哥州的晶圓廠進(jìn)行升級(jí)。接著帕特-基爾辛格又與歐盟官員會(huì)面，討論建立新的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施的可能性，選址暫定在德國(guó)巴伐利亞州慕尼黑附近的一個(gè)廢棄空軍基地，目標(biāo)是建造一個(gè)擁有八座晶圓廠，價(jià)值1000億美元的半導(dǎo)體制造基地，并打造垂直整合的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。英特爾還在以色列也投資了100億美元建設(shè)一座新的晶圓廠，第一階段的建設(shè)已經(jīng)開始。

近日，帕特-基爾辛格在接受《華盛頓郵報(bào)》采訪的時(shí)候表示，英特爾將在今年年底之前決定下一個(gè)位于美國(guó)的半導(dǎo)體制造中心的確切位置，很可能會(huì)在大學(xué)附近，方便招募人才。該制造基地會(huì)擁有6到8個(gè)半導(dǎo)體制造模塊，使用英特爾最先進(jìn)的制造技術(shù)（4nm或3nm工藝）和芯片封裝（比如EMIB和Foveros封裝技術(shù)）設(shè)施，而且會(huì)有一座專用的發(fā)電廠。

每個(gè)半導(dǎo)體制造模塊的成本會(huì)在100億至150億美元之間，因此未來十年英特爾對(duì)這個(gè)半導(dǎo)體制造中心的投資最低也有600億美元，最高可達(dá)1200億美元。帕特-基爾辛格表示目前計(jì)劃是投資1000億美元，創(chuàng)造10000個(gè)直接就業(yè)機(jī)會(huì)，加上帶動(dòng)的10萬個(gè)周邊工作崗位，本質(zhì)上其目標(biāo)就是建造一座小城市。