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史上首次 英特爾將為高通代工芯片:直奔2大革命性工藝

時(shí)間:2021-07-27 10:53:53
  • 來(lái)源:快科技
  • 作者:3DM整理
  • 編輯:亂走位的奧巴馬

在今天凌晨的工藝及封裝技術(shù)大會(huì)上,Intel公布了最新的工藝路線(xiàn)圖,命名方式也全面改了,比如10nm ESF工藝改名為Intel 7,7nm工藝改為Intel 4等等,在宣傳上這次跟臺(tái)積電、三星對(duì)等了。

史上首次 英特爾將為高通代工芯片:直奔2大革命性工藝

除了全新路線(xiàn)圖之外,Intel的IFS代工業(yè)務(wù)也收獲了一個(gè)重要客戶(hù),高通將使用Intel的代工服務(wù),這還是開(kāi)天辟地頭一次,Intel重整代工業(yè)務(wù)以來(lái)這是目前最大、最重要的客戶(hù)。

不過(guò)大家看到Intel生產(chǎn)的高通芯片還很遙遠(yuǎn),因?yàn)楦咄ㄊ褂玫氖荌ntel未來(lái)的Intel 20A工藝,至少要到2024年才能量產(chǎn),不跳票的話(huà)還得等上3年時(shí)間。

等這么久的原因是Intel的20A工藝變化太大,放棄了FinFET工藝,轉(zhuǎn)向了GAA晶體管,Intel開(kāi)發(fā)出了兩大革命性技術(shù),分別是RibbonFET、PowerVia。

其中PowerVia是Intel獨(dú)有的、業(yè)界首個(gè)背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò),通過(guò)消除晶圓正面供電布線(xiàn)需求來(lái)優(yōu)化信號(hào)傳輸。

RibbonFET是Intel對(duì)GAA晶體管的實(shí)現(xiàn),它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來(lái)的首個(gè)全新晶體管架構(gòu)。該技術(shù)加快了晶體管開(kāi)關(guān)速度,同時(shí)實(shí)現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動(dòng)電流,但占用的空間更小。

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