DDR內(nèi)存將在2021年反彈 價(jià)格至少上漲25%-30%

2020年內(nèi)存價(jià)格總體還是在下跌，DDR4內(nèi)存也到了尾聲階段，明年服務(wù)器市場就會率先引入DDR5內(nèi)存，新時(shí)代要開始了。然而明年的價(jià)格走勢不一樣了，內(nèi)存廠商現(xiàn)在篤定明年價(jià)格反彈，甚至大漲30%。

對于2021年的內(nèi)存市場，此前三星等大廠給出的預(yù)期是明年Q1季度繼續(xù)跌，Q2季度持平，下半年才會開始反彈。

不過這段時(shí)間內(nèi)存市場變數(shù)頗多，三星、SK海力士、美光三大廠商繼續(xù)削減2021年的內(nèi)存投資，供應(yīng)量會比預(yù)期減少，再加上DDR3等低端內(nèi)存產(chǎn)能逐漸退出，還有美光工廠本月初意外的跳電，內(nèi)存漲價(jià)的走勢提前了。

除了美光這樣的內(nèi)存芯片巨頭之外，華邦電、威剛等內(nèi)存行業(yè)的廠商也對2021年的走勢表示了樂觀看法，認(rèn)為明年Q1季度提前見底。

至于價(jià)格漲幅，內(nèi)存行業(yè)廠商預(yù)計(jì)2021年至少上漲25%-30%，相比今年要大幅反彈了。