三星開始量產(chǎn)4GB HBM2顯存芯片：每瓦特帶寬翻倍

 一周前，JEDEC剛剛更新了“高帶寬內(nèi)存”（HBM）標(biāo)準(zhǔn)，帶來了更大的堆棧和更快的速度。該組織前腳剛宣布，三星就立即開始了4GB HBM2顯存芯片的量產(chǎn)。該公司稱，其采用了20nm制程，以4 x 8Gb的規(guī)格封裝，可提供256GB/s的帶寬。作為對比，TSV 4Gb GDDR5的帶寬只有前者的1/7不到。此外，HBM2芯片的“每瓦特帶寬”也是三星自家GDDR5顯存的2倍以上、此外還內(nèi)建了對ECC的支持。

三星還計劃于今年發(fā)布8GB封裝的HBM2顯存，而顯卡設(shè)計者們將享受到95%的空間節(jié)?。ㄏ鄬τ贕DDR5），AMD Radeon R9 Fury X的愛好者們肯定不會感到陌生。

三星將為迎合需求而提升HBM2的產(chǎn)量，且除了顯卡市場之外，該公司還希望將之推向高性能計算、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、以及服務(wù)器等領(lǐng)域。