三星加快HBM4開發(fā) 計劃2025年末量產(chǎn)

上個月有報道稱，三星選擇在其平澤P4工廠建設(shè)1cnm工藝的DRAM生產(chǎn)線，已開始向Lam Research等合作伙伴訂購設(shè)備，為HBM4的量產(chǎn)鋪平道路。1cnm屬于第六代10nm級別工藝，電路線寬約為11-12nm，預(yù)計今年進(jìn)入商業(yè)化生產(chǎn)，三星打算用于生產(chǎn)HBM4的DRAM芯片。

據(jù)Notebookcheck報道，三星已完成了HBM4的邏輯芯片開發(fā)工作，并啟動了4nm試生產(chǎn)工作（用于HBM4的基礎(chǔ)裸片），標(biāo)志著向2025年下半年量產(chǎn)邁出了一大步。過去一段時間里，三星明顯加快了HBM4的開發(fā)步伐，比原計劃提前了大約半年，以便爭取英偉達(dá)這類關(guān)鍵客戶的訂單，預(yù)計將用于下一代Rubin架構(gòu)GPU，預(yù)計2026年上市。除了英偉達(dá)外，三星還將目光投向了微軟和Meta的新一代定制芯片。

此前三星在ISSCC 2024上分享了一些技術(shù)細(xì)節(jié)，顯示HBM4將提供巨大的性能提升，數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)2TB/s，比HBM3E快了約66%。同時還將支持6.4GT/s的接口運行速度，接口位寬為2048位，最大提供48GB容量也比當(dāng)前一代產(chǎn)品提升了約33%。三星還與臺積電達(dá)成協(xié)議，共同開發(fā)HBM4，這也是雙方首次在人工智能（AI）芯片領(lǐng)域展開合作。

除了HBM4定制化工作外，三星還將重點轉(zhuǎn)向集成AI計算能力和特定數(shù)據(jù)處理功能，以滿足不斷變化的需求。傳聞三星可能選擇轉(zhuǎn)向PIM技術(shù)，使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。這種做法可以將處理操作轉(zhuǎn)移到HBM本身，從而減輕了內(nèi)存與一般處理器之間轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)的負(fù)擔(dān)。