ASML瞄準下一代Hyper-NA EUV技術 2030年左右提供新的光刻設備

近年來，ASML站到了世界半導體技術的中心位置，成為了先進半導體生產(chǎn)供應鏈的關鍵一環(huán)。目前ASML有序地執(zhí)行其路線圖，在EUV之后是High-NA EUV技術，去年末已向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機。雖然業(yè)界才剛剛準備邁入High-NA EUV時代，但是ASML已經(jīng)開始對下一代Hyper-NA EUV技術進行研究，尋找合適的解決方案。

據(jù)外媒報道，ASML公布了下一代Hyper-NA EUV技術路線圖，目前仍處于開發(fā)的早期階段。前ASML首席技術官Martin van den Brink在今年5月舉行的imec ITF World的演講中表示，從長遠來說需要改進照明系統(tǒng)，必須采用Hyper-NA，同時還需要將所有系統(tǒng)的生產(chǎn)效率提升至每小時400到500片晶圓。

ASML計劃在2030年左右提供Hyper-NA EUV光刻機，數(shù)值孔徑將達到0.75。相比之下，High-NA EUV提供的數(shù)值孔徑為0.55，EUV則是0.33，隨著精度的進一步提高，可實現(xiàn)更高分辨率的圖案化及更小的晶體管特征。對ASML而言，未來Hyper-NA技術還將推動其整體EUV能力平臺，以改善成本和交付周期。

Hyper-NA技術肯定會帶來一些新的挑戰(zhàn)，比如光刻膠，需要變得更薄。按照imec高級圖案化項目總監(jiān)Kurt Ronse的說法，High-NA EUV應該可以覆蓋2nm到1.4nm，再到1nm甚至0.7nm的制程節(jié)點。在那之后，Hyper-NA EUV將開始接管。