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臺積電為1nm工藝做準備 總開發(fā)成本超320億美元

時間:2024-01-24 19:40:31
  • 來源:超能網(wǎng)
  • 作者:呂嘉儉
  • 編輯:豆角

去年末,臺積電(TSMC)在IEEE國際電子元件會議(IEDM 2023)上透露,其1.4nm制程節(jié)點的研發(fā)工作已全面展開,進展順利。這是臺積電首次對外披露其1.4nm制程節(jié)點的開發(fā)情況,對應(yīng)工藝的正式名稱為“A14”,至于工藝的具體規(guī)格和量產(chǎn)時間,暫時還不清楚。

臺積電為1nm工藝做準備 總開發(fā)成本超320億美元

臺積電的2nm工藝計劃在明年末量產(chǎn),1.4nm工藝的推出時間大概在2027年至2028年之間。不過據(jù)UDN的最新報道,臺積電已經(jīng)在為更遙遠的1nm工藝生產(chǎn)做規(guī)劃,將是首家準備1nm工藝的代工廠,這讓半導(dǎo)體競爭變得更加激烈、有趣。

此前臺積電在IEDM 2023上分享了部分信息,1nm工藝大概要等到2030年,正式名稱為“A10”。隨著包括CoWoS、InFO和SoIC等封裝技術(shù)的進步,臺積電預(yù)計2030年左右可以打造萬億級晶體管的芯片。臺積電采用的方法與英特爾比較相似,問題在于如何實現(xiàn)這一目標,最近半導(dǎo)體行業(yè)一直被收益率和產(chǎn)能所困擾。

據(jù)稱,臺積電的1nm工藝將是一個昂貴的計劃,預(yù)計總開發(fā)成本超過了320億美元。臺積電也會為1nm工藝新建一座晶圓廠,地點在中國臺灣南部的嘉義縣,總面積超過了100公頃,同時會按照60/40的比例劃分,以同時滿足半導(dǎo)體制造和封裝的需求。

雖然先進工藝的開發(fā)難度越來越大,投入越來越高,不過臺積電并沒有停止前進的步伐,除了1nm工廠,預(yù)計還會建造多座2nm工廠。

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