提速20倍！美光宣布混合存儲立方體技術(shù)

上周末，美光公司在一場投資者會議上宣布了自己在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的新突破。這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)名為“混合存儲立方體”（Hybrid Memory Cube，HMC），號稱單顆HMC芯片的性能是DDR3內(nèi)存條的20倍。美光DRAM內(nèi)存業(yè)務(wù)副總裁Brian M.Shirley表示，內(nèi)存帶寬問題如今往往會成為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的瓶頸。而其癥結(jié)往往在于總線，即從DRAM內(nèi)存芯片讀寫的數(shù)據(jù)無法馬上達(dá)到處理器。他舉 例稱，DDR2到DDR3的升級被屢屢推遲就是如此，因?yàn)槿藗儫o法從升級DDR3看到內(nèi)存性能的提升。

為解決這一問題，HMC采用了堆疊封裝技術(shù)，將多層DRAM和一個邏輯電路層封裝在一起，并通過TSV硅穿孔技術(shù)進(jìn)行互聯(lián)。這種立體的結(jié)構(gòu)因此才被稱為“立方體”。

美光表示，HMC技術(shù)的關(guān)鍵就在于底層的這一層邏輯層，它實(shí)際上扮演了內(nèi)存控制器的角色，可以使用超高帶寬總線和CPU連接，消除內(nèi)存與CPU之間的帶寬/性能瓶頸。

據(jù)稱，單顆HMC芯片的性能超過DDR3內(nèi)存條20倍以上，同時單位bit存儲空間的功耗僅僅是現(xiàn)有內(nèi)存技術(shù)的十分之一，同等容量HMC的體積也僅僅是目前使用RDIMM內(nèi)存條的十分之一。

HMC技術(shù)將首先應(yīng)用于高性能領(lǐng)域，比如100Gbps高速網(wǎng)絡(luò)設(shè)備或超級計(jì)算機(jī)等。預(yù)計(jì)首批HMC企業(yè)級產(chǎn)品將在2012年亮相，2013年大批量推出，2015、2016年左右進(jìn)入消費(fèi)領(lǐng)域。