IBM展示全世界第一塊20nm工藝晶圓

上周舉行的Common Platform 2011技術大會上，IBM領銜的通用技術聯(lián)盟各自介紹了其半導體制造工藝的最新進展，藍色巨人自己更是拿出了全世界第一塊采用20nm工藝的晶圓。

據(jù)介紹，這塊晶圓不但使用了業(yè)界領先的20nm LP HKMG(低功耗高K金屬柵極)制造工藝，還引入了Gate-Last技術，簡單地說就是在對硅片進行漏/源區(qū)離子注入操作以及隨后的高溫退火工步完成之后再形成金屬柵極。

Gate-Last(后柵極)、Gate-First(前柵極)是實現(xiàn)HKMG結(jié)構(gòu)晶體管的兩大技術流派，區(qū)別主要在于硅片漏/源區(qū)離子注入操作、高溫退火和形成金屬柵極的先后。Intel從45nm工藝開始就堅持使用Gate-Last，臺積電也決定從28nm開始引入。IBM聯(lián)盟方面之前一直支持Gate-First，包括32/28nm工藝，現(xiàn)在看來20nm將成為其第一個拐點。

IBM沒有透露這種晶圓會用于制造何種產(chǎn)品，但既然是低功耗版本，應該不會用在CPU、GPU等高性能芯片上。

晶圓整體

晶圓局部